美國風(fēng)險企業(yè)應(yīng)用等離子公司(Applied Plasmon)日前開發(fā)出了尺寸不足10μm的可發(fā)光微小真空管。利用電子與電磁波共振的表面等離子體現(xiàn)象而實現(xiàn)。本公司最初設(shè)想作為可集成于IC的發(fā)光元件應(yīng)用于芯片間的光布線和服務(wù)器通信。
在數(shù)十THz以上超高速下工作
盡管外形尺寸和發(fā)光原理不同,但這種發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)卻與向水銀氣體照射電子束使之發(fā)光的熒光燈十分類似。具體來說,就是在內(nèi)部呈真空狀態(tài)的微細封裝中配備稱為“納米天線”的元件,由陰極向它放射能量約20keV的電子束使之發(fā)光(圖1)。
納米天線利用光刻技術(shù)按一定間隔在硅芯片表面上形成多列突起,并利用電場電鍍法鍍上一層銀(圖2)。據(jù)應(yīng)用等離子公司表示,只要向它照射電子束,在銀和硅的交界處就會產(chǎn)生電子壓縮波(表面等離子體),由此即可放射電磁波(圖2)。
不過,與過去的真空管和熒光燈不同的是,此次的發(fā)光元件非常小,“比如,封裝的外形尺寸只有10μm×10μm×0.5μm”(該公司市場開發(fā)經(jīng)理、副總裁Henry Davis),而且可在超高速下工作,“自數(shù)十THz起,從理論來講最高可達到750THz”(Henry Davis)。
對于利用表面等離子體的技術(shù),目前正在進行各種應(yīng)用研究。比如,F(xiàn)DK已經(jīng)開發(fā)出體積只有過去數(shù)百分之一的折射率傳感器。NEC正在作為超小型硅光敏二極管的受光天線進行研發(fā)。不過,大多都是作為高靈敏度傳感器來使用,作為發(fā)光元件的研究成果,迄今只有日本東北大學(xué)電氣通信研究所教授尾辻泰一正在開發(fā)的等離子共振光混合器。
圖1:通過電子束和納米天線表面的電子相互作用,放射電磁波
圖2:納米天線的SEM(掃描電子顯微鏡)照片。高約100nm的突起大約以0.2μm的間隔排列
“不再需要帶隙”
與發(fā)光二極管(LED)和半導(dǎo)體激光元件等相比,本發(fā)光元件的優(yōu)點是(1)從遠紅外到紫外光,可選擇多種發(fā)光波長;(2)發(fā)光效率非常高,為LED的數(shù)倍。
據(jù)應(yīng)用等離子公司稱,主要由納米天線的突起間隔和排列方式?jīng)Q定發(fā)光波長。“甚至能令一個納米天線以多種波長進行發(fā)光”(應(yīng)用等離子公司)。而決定LED和半導(dǎo)體激光元件發(fā)光波長的半導(dǎo)體帶隙,只能通過改變半導(dǎo)體組成才能改變。比如,其組成僅限于GaAs、GaN、 AlN,即III-V族等元素組合!拔覀兊腜ED(plasmon enabled devices)從帶隙中解放出來了”(應(yīng)用等離子公司)。
發(fā)光效率高是因為和金屬與半導(dǎo)體中的電子不同,真空條件下電阻低!斑@種方式下的發(fā)光效率取決于有多少電子被捕捉到納米天線上”(應(yīng)用等離子公司)。
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