多年以來，三星電子的存儲(chǔ)產(chǎn)品一直憑借強(qiáng)悍的技術(shù)廣受市場青睞。今天，讓我們一起來回顧一下三星電子為SSD(Solid State Drive)業(yè)界帶來的那些變化。
2006年，三星電子實(shí)現(xiàn)了SSD商業(yè)化，過去一直由HDD(Hard Disk Drive)帶動(dòng)的PC存儲(chǔ)設(shè)備開始了新的時(shí)代。三星電子憑借其創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)，推動(dòng)了存儲(chǔ)介質(zhì)的模式轉(zhuǎn)變，這其中，究竟隱藏著什么秘訣？

從HDD到SSD！
三星電子帶來存儲(chǔ)介質(zhì)模式新變化

存儲(chǔ)介質(zhì)的發(fā)展經(jīng)歷了從紙質(zhì)，到磁帶、HDD，再到SSD的歷程。SSD是一種使用NAND閃存代替HDD所采用的磁盤和電機(jī)等機(jī)械方式的數(shù)字化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。如果說從HDD中讀取磁盤數(shù)據(jù)的方式采用的是LP盤，那么SSD可以被比為數(shù)字化MP3。

那么，將存儲(chǔ)介質(zhì)從HDD轉(zhuǎn)變?yōu)镾SD的意義究竟是什么呢？

HDD通過改變盤片(platter)磁性薄膜表面磁性排列來讀取和寫入數(shù)據(jù)，由于HDD是通過旋轉(zhuǎn)盤片搜索數(shù)據(jù)，當(dāng)讀寫速度超過一定量級時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)噪音或功耗變大等物理臨界問題。在這種情況下，即使計(jì)算機(jī)中央處理器CPU和RAM的速度非常高，如果HDD跟不上，也只能拖累計(jì)算機(jī)，使速度變慢。

而SSD恰巧解決了這一問題。SSD是將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于半導(dǎo)體內(nèi)，并采用數(shù)字方式驅(qū)動(dòng)，以此大幅提高數(shù)據(jù)處理速度。因?yàn)镾SD不像HDD必須有機(jī)械性驅(qū)動(dòng)裝置，所以運(yùn)行過程中不會(huì)產(chǎn)生熱量和噪音，因此運(yùn)行非常穩(wěn)定。

然而，要實(shí)現(xiàn)這種模式的改變，需要付出大量的精力進(jìn)行研究和開發(fā)。

早在1970年，就已出現(xiàn)了形式類似的早期SSD技術(shù)，但由于價(jià)格昂貴、體積龐大等原因，其商業(yè)化與大眾普及遇到了瓶頸。但三星電子堅(jiān)信，存儲(chǔ)介質(zhì)模式被升級為SSD為大勢所趨，并決定積極推動(dòng)產(chǎn)品開發(fā)。

2006年，三星電子加載32GB SSD（Sense Q30 +）和Ultra Mobile PC（Sense Q1）的筆記本電腦問世。這，是三星電子開辟無硬盤“數(shù)字電腦”新市場的重要時(shí)刻。

當(dāng)時(shí)，由于考慮成本問題，廠商根本無法想象，普通電腦也可以采用原本用于數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、USB驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中的閃存。而三星電子憑借NAND閃存技術(shù)，通過強(qiáng)化價(jià)格競爭力，將SSD用于普通消費(fèi)者版筆記本電腦中，使產(chǎn)品容量不亞于使用HDD的30GB / 20GB產(chǎn)品，同時(shí)幫助筆記本電腦大幅提升了開機(jī)時(shí)間。

憑借SSD技術(shù)的自主開發(fā)與創(chuàng)新
三星電子深受SSD市場青睞！

SSD由NAND閃存、DRAM、控制器硬件以及驅(qū)動(dòng)固件(Firmware)等組成。如果說NAND 閃存是儲(chǔ)藏書籍的“書庫”，控制器則可以說是整理書籍的“管理員”。換句話說，NAND閃存能夠通過提高數(shù)據(jù)集成度增加SSD容量，使控制器控制接口和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳送，并決定讀取和寫入順序，以此提高SSD性能。

三星電子通過不斷創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了在NAND閃存、控制器以及固件等核心組件中的實(shí)際SSD技術(shù)應(yīng)用。這就是三星電子自2006年以來一直在SSD市場廣受青睞的主要秘訣。

在NAND閃存領(lǐng)域，三星電子獲得了業(yè)界的高度評價(jià)。三星電子擁有強(qiáng)悍的技術(shù)實(shí)力，還擁有強(qiáng)大的生產(chǎn)能力、以及強(qiáng)盛的市場份額。

在三星電子SSD商業(yè)化進(jìn)程中，NAND閃存創(chuàng)新發(fā)揮了重要作用。2006年，三星電子所研發(fā)的克服浮柵(Floating Gate)技術(shù)局限性的CTF（Charge Trap Flash）NAND技術(shù)，為SSD的發(fā)展帶來重大成功�；�于這項(xiàng)技術(shù)，三星電子將40nm 32Gb NAND閃存應(yīng)用在SSD的品牌，并成功地實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品商業(yè)化。

在NAND閃存產(chǎn)品發(fā)展早期，三星電子就已經(jīng)關(guān)注了該產(chǎn)品，堅(jiān)信其即將打開新的應(yīng)用領(lǐng)域。同時(shí)，三星電子還曾預(yù)測，在2010年之后，SSD將超越GB(Gigabyte)時(shí)代，使實(shí)現(xiàn)TB(Terabyte)的超高容量半導(dǎo)體技術(shù)成為可能。

現(xiàn)在，這種預(yù)測已成為現(xiàn)實(shí)。2010年，三星電子（Samsung Electronics）正式啟動(dòng)了面向普通消費(fèi)者的SSD 業(yè)務(wù)，推出20納米級高速NAND閃存，以及加載了專用控制器的SSD 830系列產(chǎn)品。

并于2012年推出了采用3比特MLC（TLC，Triple Level Cell）NAND閃存的SSD 840系列產(chǎn)品。該產(chǎn)品徹底推翻了過去認(rèn)為“采用3比特MLC NAND閃存的SSD，無法實(shí)現(xiàn)高性能、高可靠性運(yùn)行”的舊觀念。

2013年，三星電子啟動(dòng)了3D V-NAND閃存量產(chǎn)，再一次突破了微技術(shù)的瓶頸。對于三星電子能帶頭實(shí)現(xiàn)3D集成技術(shù)商業(yè)化的技術(shù)實(shí)力，引發(fā)了業(yè)界的關(guān)注。

基于這項(xiàng)技術(shù)，三星電子開始不斷開拓大容量SSD市場，并于2014年推出了加載3D V-NAND的SSD 850系列產(chǎn)品，成功地用V-NAND產(chǎn)品為消費(fèi)電子產(chǎn)品市場帶來了改變。

2013年，三星電子啟動(dòng)了企業(yè)數(shù)據(jù)中心專用1TB SSD產(chǎn)品量產(chǎn)，2016年推出15.36TB SSD產(chǎn)品，并于2018年推出企業(yè)數(shù)據(jù)中心專用30.72TB SSD產(chǎn)品。自2006年32GB SSD首次亮相以來，僅僅經(jīng)過12年，三星電子將存儲(chǔ)容量擴(kuò)增1000倍，開啟了超高容量半導(dǎo)體時(shí)代。

目前，三星電子依然在閃存技術(shù)領(lǐng)域和SSD市場上不斷制造更多新驚喜。在關(guān)于三星電子閃存技術(shù)的第三部分系列報(bào)道中，我們將介紹耳熟能詳?shù)钠胀ㄏ�費(fèi)者版移動(dòng)固態(tài)硬盤，以及近年來備受矚目的超大容量數(shù)據(jù)中心專用SSD產(chǎn)品。