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    近期世界LED領(lǐng)域新技術(shù)
    更新:2021-3-24 10:40:58 稿件:3D玻璃與柔性顯示 調(diào)整大小:【

    01中國(guó):非鉛金屬鹵化物暖白光LED

    近年來(lái),可溶液法制備的金屬鹵化物鈣鈦礦在顯示、照明和能源領(lǐng)域展現(xiàn)出很大的應(yīng)用潛力。目前單色鉛基鈣鈦礦發(fā)光二極管(LED)的效率已經(jīng)接近商業(yè)化的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),但是鉛的毒性問(wèn)題限制了其商業(yè)化應(yīng)用,并且高效白光鈣鈦礦LED仍是亟待解決的難題。

    通?梢岳梅倾U雙鈣鈦礦或銅基鹵化物的寬帶發(fā)射來(lái)獲得白光,然而目前報(bào)道的材料均難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高熒光發(fā)光效率和高電學(xué)性能,導(dǎo)致LED器件的發(fā)光效率和亮度都很低。

    針對(duì)這一世界性難題,西北工業(yè)大學(xué)黃維院士和南京工業(yè)大學(xué)王建浦教授、王娜娜教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)在銅基鹵化物前驅(qū)體溶液中引入非離子表面活性劑,首次實(shí)現(xiàn)了高效、高亮度非鉛暖白光金屬鹵化物L(fēng)ED,為鈣鈦礦發(fā)光二極管的商業(yè)化進(jìn)程奠定了基礎(chǔ)。

    這一重要研究成果于近日刊登在學(xué)術(shù)期刊《自然·通訊》上,博士生陳紅、朱琳博士、薛晨博士為該論文共同第一作者。此工作拓展了非鉛金屬鹵化物材料體系,對(duì)實(shí)現(xiàn)高性能非鉛金屬鹵化物光電器件具有重要意義。

    02美國(guó):尺寸小于10微米的紅光Micro LED芯片

    據(jù)外媒報(bào)道,美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校(University of California, Santa Barbara,UCSB)宣稱已首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基紅光Micro LED芯片,并通過(guò)晶圓上量測(cè)得出外量子效率(EQE)為0.2%。

    提升外量子效率仍重道遠(yuǎn)

    此前,具備InGaN基紅光Micro LED芯片規(guī);慨a(chǎn)能力的法國(guó)半導(dǎo)體材料商Soitec,在2020年發(fā)布了50微米的InGaN基紅光Micro LED器件,不過(guò),UCSB團(tuán)隊(duì)的發(fā)言人Shubhra Pasayat指出,Soitec并沒(méi)有公布外量子效率的數(shù)據(jù)。

    Pasayat表示,小于10微米的Micro LED對(duì)于Micro LED產(chǎn)業(yè)可行性商業(yè)化來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。同時(shí),除了尺寸小之外,Micro LED芯片的外量子效率必須至少為2-5%,才能夠滿足Micro LED顯示器的要求。

    不過(guò),本次UCSB展示的InGaN基紅光Micro LED芯片外量子效率僅為0.2%。對(duì)此,Pasayat坦言,雖然目前團(tuán)隊(duì)的研究結(jié)果還遠(yuǎn)達(dá)不到目標(biāo),但是相關(guān)研究工作已進(jìn)入初步階段,并且可以預(yù)期未來(lái)將有實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展。

    UCSB團(tuán)隊(duì)的下一個(gè)目標(biāo)就是提高紅光Micro LED芯片的外量子效率,目前正在計(jì)劃提升材料的質(zhì)量,改善生產(chǎn)步驟。

    InGaN材料應(yīng)用前景可期

    另值得注意的是,UCSB團(tuán)隊(duì)研究的是InGaN基紅光Micro LED,而非AlGaInP基紅光Micro LED,主要是因?yàn)楹笳叩男释ǔ?huì)隨著尺寸的縮小而降低等問(wèn)題。Pasayat透露,到目前為止,AlGaInP基紅光Micro LED芯片最小尺寸為20微米,而外量子效率未知。

    據(jù)了解,目前的紅光LED多由AlGaInP材料制成,在正常芯片尺寸下,其效率高達(dá)60%以上。然而,當(dāng)芯片尺寸縮小到微米量級(jí)時(shí),效率會(huì)急劇降低至1%以下。

    此外,在巨量轉(zhuǎn)移制程上,AlGaInP材料的劣勢(shì)也顯而易見(jiàn)。

    巨量轉(zhuǎn)移要求材料具有良好的機(jī)械強(qiáng)度,以避免在芯片抓取和放置過(guò)程中出現(xiàn)開(kāi)裂,而AlGaInP材料較差的力學(xué)性能會(huì)給巨量轉(zhuǎn)移增加新的難題。

    相比之下,InGaN薄膜擁有寬帶隙可調(diào)等優(yōu)點(diǎn),在可見(jiàn)光領(lǐng)域內(nèi)擁有廣闊的應(yīng)用前景,并且Micro LED全彩顯示是其中最有潛力的應(yīng)用之一。

    據(jù)悉,InGaN材料具有較好機(jī)械穩(wěn)定性和較短空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度,且與InGaN基綠光、藍(lán)光Micro LED兼容,因此是紅光Micro LED的較佳選擇。

    值得注意的是,江風(fēng)益院士團(tuán)隊(duì)去年公布了高光效InGaN基橙-紅光LED的研究突破,該研究結(jié)果也證明了InGaN材料在制作顯示應(yīng)用的紅光像素芯片上將有巨大潛力。

    另外,UCSB曾與首爾偉傲世針對(duì)尺寸小于5微米Micro LED外量子效率變化趨勢(shì)展開(kāi)研究,基于研究結(jié)果,他們認(rèn)為InGaN基紅光Micro LED有望幫助制造更小尺寸的全彩化Micro LED顯示器。

    同時(shí),雙方期望通過(guò)提高亮度和可靠性等因素,促使更小尺寸的InGaN基Micro LED應(yīng)用于智能手機(jī)、AR眼鏡及4K電視等高端顯示領(lǐng)域。

    03日本:改善OLED屏幕藍(lán)光發(fā)射率和壽命

    近期,日本九州大學(xué)(Kyushu University)研究團(tuán)隊(duì)宣布,采用一種新的發(fā)射體分子組合,能產(chǎn)生一種高效率的純藍(lán)色光線發(fā)射,并在一定時(shí)間內(nèi)保持亮度,克服過(guò)往OLED顯示屏幕缺乏高效能藍(lán)光的挑戰(zhàn)。


    圖片來(lái)源:日本九州大學(xué)

    目前OLED顯示屏幕在藍(lán)光光源方面遇到了挑戰(zhàn),雖然有高性能的紅色和綠色有機(jī)發(fā)光二極管,但缺乏性能相似的藍(lán)色光源。研究人員表示,雖然目前紅色和綠色OLED的選擇越來(lái)越多,但仍缺乏能發(fā)射高效藍(lán)光的元件。藍(lán)光元件在效能、色彩純度、成本和壽命等條件經(jīng)常都要權(quán)衡、取舍。

    研究人員補(bǔ)充,雖然目前市面上有基于熒光(Fluorescence)的藍(lán)光發(fā)射器雖然較穩(wěn)定,并已用于商業(yè)用的顯示器,但最高效率(Maximum Efficiency)低;而另一種磷光發(fā)射器(Phosphorescent Emitters)雖然可以100%實(shí)現(xiàn)理想中的量子效率(Quantum Efficiency),但是壽命較短,且必須使用銥(iridium)或鉑(platinum)等昂貴的金屬材料。

    九州大學(xué)有機(jī)光子學(xué)和電子學(xué)研究中心(OPERA)的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了基于熱活化延遲熒光(Thermally Activated Delayed Fluorescence, TDAF)的發(fā)光分子,這種分子可以在沒(méi)有金屬原子的情況下實(shí)現(xiàn)同等的發(fā)光效率,且會(huì)表現(xiàn)出更廣泛顏色的發(fā)射能力。

    研究人員使用了一種被稱為超熒光的雙分子方法,簡(jiǎn)而言之就是分子迅速將不發(fā)光的三重態(tài)轉(zhuǎn)換為單線態(tài),并將能量轉(zhuǎn)移到名為ν-DABNA的分子上進(jìn)行純藍(lán)色發(fā)射。研究人員指出,與大多數(shù)發(fā)射器相比,ν-DABNA可以吸收的波長(zhǎng)非常接近其發(fā)射的顏色。這種獨(dú)特的性質(zhì)使其能夠從排放的中介中吸收大部分能量,并且仍然發(fā)出純藍(lán)色,進(jìn)一步改善了顏色純度和壽命。

    研究人員估計(jì),在更溫和的強(qiáng)度下,該設(shè)備可以保持50%的亮度超10,000小時(shí);雖然這時(shí)間對(duì)于實(shí)際應(yīng)用而言仍有些短暫,但若是嚴(yán)格控制制造環(huán)境將有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命。希望不久之后,這個(gè)藍(lán)色OLED能取代現(xiàn)有的藍(lán)光發(fā)射器,以滿足超高解析度顯示屏幕需求。

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