據(jù)外媒報道,總部位于美國的Solar-Tectic公司,日前在賓漢姆頓大學(xué)和Blue Wave Semiconductor的協(xié)助下,獲得了全新薄膜晶體管(TFT)技術(shù)專利,該技術(shù)將有助于提高有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、有源矩陣OLED( AMOLEDs)、液晶設(shè)備(LCD)顯示器以及太陽能電池設(shè)備的效率并降低其成本。
與用于制造驅(qū)動顯示器像素并需要昂貴的準(zhǔn)分子激光退火的TFT的傳統(tǒng)低溫多晶硅(LTPS)工藝不同,這種新工藝是由金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)衍生而來的,并且使用改性液相外延電子束工藝,能夠在低至232°C的溫度下,在金屬氧化物,如氧化鎂緩沖基板上沉積薄金屬層,然后沉積最終的汽化硅(Si)層并結(jié)晶成約50至100nm厚的薄膜,整個流程沒有任何金屬殘余物。
通過使用拉曼光譜和X射線光譜對Si膜進(jìn)行的分析顯示出了高達(dá)188cm2/Vs的電子遷移率(而傳統(tǒng)的LTPS電子遷移了則為100cm2/Vs)。
研究人員希望通過使用ST和BWS定向的MgO(111)薄膜緩沖基板進(jìn)一步提高晶體尺寸,從而進(jìn)一步提高電子遷移率,最終提高設(shè)備效率并有效降低成本。
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