美國阿肯色大學從美國國家科學基金會NSF收到了1787萬美元經費，用于建造和運營一個美國國家SiC碳化硅研發(fā)和制造設施，用以填補美國在這種適合高溫環(huán)境的半導體集成電路生產上的空白。
眾所周知，碳化硅半導體可以節(jié)約能源并延長電動汽車的行駛里程。人們對碳化硅的研究由來已久，但也受阻于缺乏高質量的碳化硅晶片。
目前，美國和日本是SiC碳化硅專利國際排名前五位的企業(yè)所在地。但美國所有碳化硅制造設施僅滿足內部使用，其碳化硅集成電路的研發(fā)依賴于國際制造。
Alan Mantooth是阿肯色大學電氣工程系著名教授，他將領導該碳化硅研究和制造設施。該設施將提供原理驗證演示和設備設計原型制作，并向外部研究人員開放，它將是美國唯一一家開放式制造設施。
Alan Mantooth表示：擁有這樣的制造設施對美國的影響是巨大的。美國這個碳化硅半導體設計和制造方面領先全球的國家，也將引領幾乎所有使用該項新技術的市場競爭，包括應用于軍事的技術，以及對美國經濟至關重要的通用電子設備。
美國國家科學基金會NSF投入的資金將用于基礎設施建設、設備安裝和現有設施的改善，以及三名全職工作人員、一名為期四年的博士后研究員。同時所有學位級別的學生都將可能獲得研究機會。
該項目共同主要研究者名單有，著名物理學教授 Greg Salamo；電機工程副教授 Zhong Chen；電氣工程部業(yè)務和運營經理 Shannon Davis；德克薩斯州盧伯克X-FAB碳化硅技術總監(jiān) John Ransom。
